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Mémoire vive

La mémoire vive (RAM) est un composant dont l'impact intrinsèque dépend principalement de la surface de silicium nécessaire pour atteindre la capacité installée. Dans le modèle historique et avec une densité supposée de 0,625 Go/cm², un module de 32 Go donne 117,86 kg CO₂ eq. ; 5,22 kg est uniquement le terme fixe. Les multiplicateurs HBM du simulateur sont des hypothèses, pas un ratio universel validé.

D'où vient l'impact​

La fabrication d'une puce mémoire DRAM suit les mêmes procédés que les semi-conducteurs (voir Semi-conducteurs) : salle blanche, photolithographie, gravure, métallisation. La capacité dépend de la densité de cellules, de la surface, du nombre de dies et de l'organisation du module. Ne pas confondre l'empilement de dies HBM avec les couches de cellules d'une NAND 3D.

Pour la mémoire HBM (High Bandwidth Memory), des dies DRAM sont empilés verticalement avec des interconnexions TSV (Through-Silicon Via) sur un interposeur en silicium, ce qui ajoute des procédés dont l'impact doit être inventorié, sans multiplicateur universel.

Modèle paramétrique​

Formule d'impact intrinsèque​

Le modèle repose sur la surface de die DRAM nécessaire, qui dépend de la capacité et de la densité1 :

Iemb=(CD×Cdie+Cbase)×Fpkg×NmodulesavecC=Capaciteˊ par module[Go]D=Densiteˊ DRAM[Go/cm2]Cdie=Coefficient par cm2 de dieCbase=Base fixe par module (PCB, connecteurs)Fpkg=Facteur de packagingNmodules=Nombre de modules\begin{aligned} &I_{emb} = \left(\frac{C}{D} \times C_{die} + C_{base}\right) \times F_{pkg} \times N_{modules} \\ \text{avec} \\ &C = \text{Capacité par module} \htmlClass{unit}{[Go]} \\ &D = \text{Densité DRAM} \htmlClass{unit}{[\mathrm{Go}/\mathrm{cm}^2]} \\ &C_{die} = \text{Coefficient par }\mathrm{cm}^2\text{ de die} \\ &C_{base} = \text{Base fixe par module (PCB, connecteurs)} \\ &F_{pkg} = \text{Facteur de packaging} \\ &N_{modules} = \text{Nombre de modules} \end{aligned}

Coefficients​

IndicateurCdieC_{die} (par cm²)CbaseC_{base} (par module)UnitéSource
GWP2,205,22kgCO₂ eq.Green Cloud Computing (UBA 2021)2 32
ADPe6,30E-051,69E-03kg Sb eq.Green Cloud Computing (UBA 2021)2
PE27,3074,00MJGreen Cloud Computing (UBA 2021)2

Familles de mémoire​

La mémoire se décline en plusieurs familles avec des procédés et des impacts très différents :

FamilleUsageCapacités typiquesSpécificité procédé
DDR4 / LPDDR4RAM système (serveur, laptop, smartphone)4 à 128 Go par moduleModule DIMM standard, wire bonding
DDR5 / LPDDR5RAM système (dernière génération)8 à 128 Go par moduleProcess plus dense, on-die ECC
GDDR6 / GDDR6XMémoire graphique (GPU consumer et pro)4 à 24 Go par GPUBande passante élevée, soudée sur le PCB du GPU
HBM2eMémoire GPU datacenter (ex. A100)16 à 80 Go par GPUEmpilement TSV 4-8 couches + interposeur silicium 45
HBM3 / HBM3eMémoire GPU datacenter (HBM3 : H100 ; HBM3e : H200/B200)96 à 288 Go par GPUTSV haute densité, 8-12 couches

Densité et packaging par type​

Les valeurs suivantes sont des hypothèses D4B exploratoires, pas des densités garanties par génération ni des facteurs de packaging validés. Vérifier le nombre de dies, leur surface, la capacité réellement comptée et la frontière interposeur/GPU.

TypeDensité DD (Go/cm²)Facteur packaging FpkgF_{pkg}Justification
DDR4 / LPDDR40,6251,0Module standard, wire bonding
DDR5 / LPDDR51,01,1Process plus dense, légère surcharge
GDDR60,81,3Soudée sur PCB GPU, bande passante élevée
HBM2e0,53,0Empilement TSV + interposeur silicium
HBM30,83,5TSV haute densité, plus de couches
GDDR vs DDR

La GDDR (Graphics DDR) est optimisée pour la bande passante plutôt que la latence. Elle est soudée directement sur le PCB du GPU, ce qui simplifie le packaging mais rend la mémoire non remplaçable. Cette intégration ne permet pas à elle seule de déduire un impact par Go supérieur à la DDR. Une comparaison nécessite des inventaires compatibles.

Ordres de grandeur​

ConfigurationGWP intrinsèqueADPeContexte
1 module DDR4 32 Go~118 kg CO₂ eq.5,0E-03 kg Sb eq.Serveur standard
16 modules DDR5 32 Go (512 Go)1 330,91 kg CO₂ eq.6,52E-02 kg Sb eq.Serveur 2U
6× HBM2e 16 Go (96 Go)1 361,16 kg CO₂ eq.;Scénario HBM2e, pas une configuration H100
Poids de la RAM dans un serveur

Ces résultats reproduisent les coefficients et hypothèses du tableau : DDR5 (32/1×2,2+5,22)×1,1×16(32/1\times2{,}2+5{,}22)\times1{,}1\times16 ; HBM2e (16/0,5×2,2+5,22)×3×6(16/0{,}5\times2{,}2+5{,}22)\times3\times6. Ils ne valident ni ces multiplicateurs ni une part universelle de la RAM dans un serveur.

Impact opérationnel​

Consommation électrique​

Le modèle simplifié représente la puissance par un coefficient de capacité constant ; la réalité dépend aussi de la technologie, de la fréquence, des accès et des états de puissance :

Pram=Ctotale×pavecp=0,392 W/Go (Cloud Jewels / Cloud Carbon Footprint)ou p=0,284 W/Go (Green Cloud Computing, UBA 2021)\begin{aligned} &P_{ram} = C_{totale} \times p \\ \text{avec} \\ &p = 0{,}392 \text{ W/Go (Cloud Jewels / Cloud Carbon Footprint)} \\ &\text{ou } p = 0{,}284 \text{ W/Go (Green Cloud Computing, UBA 2021)} \end{aligned}
ConfigurationPuissance (Cloud Jewels)Puissance (Boavizta)
16 Go (laptop)6,3 W4,5 W
128 Go (serveur 1U)50 W36 W
512 Go (serveur 2U)201 W145 W
2 048 Go (DGX)803 W582 W
Profil de charge

Le rafraîchissement et le maintien des données consomment de l'énergie, mais les accès et états de puissance contribuent également. Un coefficient W/Go constant ne représente pas une mesure de sensibilité à la charge ni une loi universelle pour DDR, LPDDR et HBM.

Couverture des indicateurs​

IndicateurPertinence pour la RAMCouverture actuelle
GWPForte ; énergie de fabrication des puces DRAMModélisé (coefficient par cm² de die)
ADPeModérée ; matériaux de la puce et du moduleModélisé (coefficient par cm² de die)
PEModérée ; énergie primaire cumuléeModélisé (coefficient par cm² de die)
WUForte ; eau ultrapure pour la fabrication DRAMAucun facteur WU caractérisé validé ici ; résultat retiré du simulateur, eau physique non interchangeable
AP, PMModérée ; procédés de gravure et gaz acidesCouvert via les facteurs d'équipement digital4better/data 6
IRInventaire compatible requis pour fabrication et usage ; ne pas déduire une faible contribution de l’absence de donnéesUnité LCIA à vérifier
CTUe, CTUhPertinent (chimie de procédé DRAM) mais peu stabiliséCouvert dans les facteurs d'équipement D4B, pas au niveau composant

Hypothèses et limites​

  • La capacité est la variable la plus robuste. Le type de mémoire affine le calcul quand il est connu.
  • Les facteurs HBM sont des estimations basées sur la complexité du packaging TSV ; ils seront affinés quand des données constructeurs plus détaillées seront disponibles.
  • La frontière entre mémoire embarquée dans un accélérateur et mémoire système n'est pas toujours triviale.
  • Le coefficient de puissance retenu (0,392 W/Go) est une valeur moyenne ; la consommation réelle varie selon la technologie et la fréquence.7

Exemple interactif​

Résultats (par an)
Climat (GWP)
Intrinsèque: 23,57 kgCO2eOpérationnel: 5,55 kgCO2eTotal: 29,12 kgCO2e
Intrinsèque
Opérationnel
Électricité d’usage
173,74 kWh

Notes de bas de page​

  1. digital4better/data → data/cloud/cpus.*, data/cloud/accelerators.*. Coefficients Boavizta (GWP, ADPe, PE par cm² de die DRAM). Digital4Better, catalogue de données, instantané 77cae4a. Références et portée : Sources et corpus. ↩

  2. Green Cloud Computing, UBA, 2021 ; coefficients par cm² de die DRAM. Implémentés dans Boavizta RAM methodology. ↩ ↩2 ↩3 ↩4

  3. UBA, Green Cloud Computing, 2021 Voir le corpus documentaire. ↩

  4. Resilio / Aguaro, Les impacts environnementaux des équipements informatiques, octobre 2024. (Resilio/Aguaro, décomposition par composant) Voir le corpus documentaire. ↩

  5. Falk et al., More than Carbon, 2025. (données HBM) Voir le corpus documentaire. ↩

  6. Digital4Better, digital4better/data Catalogue évolutif ; utiliser un commit pour figer les facteurs. ↩

  7. Cloud Carbon Footprint ; Methodology Documentation en ligne, version non figée. ↩